<form id="dbxrz"></form>

    <form id="dbxrz"></form>

      <form id="dbxrz"><nobr id="dbxrz"><nobr id="dbxrz"></nobr></nobr></form>

            <form id="dbxrz"></form>

              富士第七代X系列2MBI800XNE-120代替英飞凌FF900R12ME7_B11

              2019-12-04 17:28:34 Westpac Electronics 536

              富士第七代X系列2MBI800XNE-120代替英飞凌FF900R12ME7_B11

              图片关键词2MBI800XNE120-50 Westpac.PDF

              提升系统功率,综合性价比高,助力大巴电驱动,光伏逆变器,大功率传动等电力电子应用。

              第7代X系列IGBT采用了极薄的晶元制造技术(更薄的漂移层)和细微的沟槽栅结构,使导通电压和开关损耗得到进一步降低,从而使得它在损耗方面的表现比我们第六代V系列IGBT有了突飞猛进的进步。除此之外,还优化了场截止层,这能够更好的抑制电压振荡,降低了高温下的漏电流。 

              陶瓷绝缘基板对芯片与外壳之间的热阻影响是最大的,第7代IGBT??榻徊郊跣×司祷宓娜茸?。第7代使用了比Al?O?(氧化铝)更低热阻的AlN(氮化铝)作为绝缘基板。但是,常规AlN材料机械强度低,绝缘基板厚,具有高刚性。如果外壳温度(Tc)升高时,则施加于基板下焊锡的热应力将增加,从而降低可靠性。富士电机开发了更薄的AlN陶瓷基板,并优化陶瓷烧结条件。

              为了确保IGBT??槌て诳煽啃?,有必要提高重复热应力的耐受能力(ΔTvj的功率循环耐量)。

              在IGBT??橹?,将绝缘陶瓷基板焊接在铜基板上,并且将IGBT/FWD芯片焊接在陶瓷基板上分的铜布线图案上。然后半导体芯片和铜布线图案通过铝绑定线连接构成回路。在电力变换装置运行期间,IGBT??槲露然嵘?,由于??槟诘母髦植牧希ㄍ?、陶瓷、半导体芯片)的膨胀系数不同,所以在接合部位会产生机械应力。在半导体芯片的结温Tvj反复上升下降的使用条件下,会重复施加热应力至芯片上方的绑定线和芯片下方焊接部分,导致劣化。Tvj越高,劣化的进展速度越快。通过优化绑定线的直径和长度、新开发的高强度焊锡,在Tvj,max=150℃、ΔTvj=50℃条件下,第7代是第6代寿命的2倍。



              减少电力损耗,利于节能

              本公司第7代“X系列”通过薄化构成本??榈腎GBT元件以及二极管元件的厚度,使其小型化,从而优化元件结构。因此,与以往产品相比(本公司第6代“V系列”),降低变换器运行时的电力损耗。有利于运载机器节能和削减电力成本。

              实现机器的小型化

              运用新开发的绝缘板,提高??榈纳⑷刃阅?。通过与上述(降低电力损耗)配合控制散热,与以往制品相比,约减小36%,实现了小型化※ 1。另外,通过将连续运行时芯片的最大保证温度从150℃升到175℃,可以在保持运载机器尺寸的同时,将输出电流最多增加35%※ 2。因此有助于机器的小型化和降低总成本。

              • ※ 1:1200V 75A PIM 产品的安装面积比

              • ※ 2:本公司验算值

              有助于提高机器的可靠性

              修正??榈墓乖旌退褂玫牟考?,提高了高温运行时的稳定性和持久性。有助于提高运载机器的可靠性。



              典型应用:

              大功率传动变频器

              商用车,电动大巴电机驱动器

              电站型光伏逆变器

              此外,富士更有业界第一款同封装最大功率密度的1000A/1200V IGBT

              2MBI1000XRNE-120采用了富士RC-IGBT逆导型IGBT??榧际?!


              图片关键词

              富士RC-IGBT逆导型IGBT??榈募际跆氐?。 RC-IGBT逆导型IGBT??榧蟮奶嵘薎GBT??榈墓β拭芏?,是电力电子小型化开发的理想功率器件。  RC-IGBT将传统与IGBT芯片反并联封装在一起的FRD(快恢复二极管)集成在同一芯片上,大大提高了功率密度,降低了芯片面积、制造成本和封装制程,同时提高了产品可靠性,将成为未来主流发展趋势。

              图片关键词2MBI1000XRNE120-50 Westpac.PDF

              更多信息及支持请联系香港威柏WESTPAC技术支持团队:

              WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

              Westpac威柏技术支持总监:
              王鹏 手机:15989854023 电话:027-8705 4728
              电子邮件:JerryWang@westpac-hk.com.hk

              WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

              Westpac威柏上海技术支持,Westpac威柏华东,上海技术支持:
              杨雪 手机:15921956358 电话:021-54891461
              电子邮件:CindyYang@westpac-hk.com.hk

              WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

              Westpac威柏北京技术支持,Westpac威柏华北,东北技术支持:
              牟军 手机:13589207451 电话:010-5963 0698
              电子邮件:TonyMu@westpac-hk.com.hk


              WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

              Westpac威柏深圳技术支持,Westpac威柏华南技术支持:
              吴龙 手机:13590310423 电话:0755-8826 2914
              电子邮件:WuLong@westpac-hk.com.hk

              WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

              Westpac威柏汽车电子深圳技术支持,Westpac威柏汽车电子华南技术支持:
              贺杰 手机:13058101192电话:0755-8826 7606
              电子邮件:HeJie@westpac-hk.com.hk

              WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

              Westpac威柏汽车电子武汉技术支持,Westpac威柏汽车电子中部技术支持:
              汪进 手机:18971571079 电话:027-87054728
              电子邮件:RobinWang@westpac-hk.com.hk

              WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

              Westpac威柏成都技术支持,Westpac威柏西部技术支持:
              胡竞超 手机:18990500034 电话:028-85540368
              电子邮件:HenryHu@westpac-hk.com.hk


              0755-88267606 00852-2763 5991 021-5489 1460
              牛牛怎么斗 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>