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              汽车功率半导体进入黄金十年,中国机会在哪里

              2018-06-23 22:38:21 Westpac Electronics 375

              汽车功率半导体进入黄金十年。燃油车向电动车转变驱动下,功率半导体平均用量成长数倍,单辆汽车A S P有望从71美金上升至三百八十七美金。电动车目前处于产业化的早期,渗透率处于较低水平,成长空间巨大。功率半导体作为电动车核心零部件受益于汽车电动化的长期趋势,发展前景广阔。

                功率半导体技术变化放缓,追赶海外先进水平正当时。功率半导体在工艺线宽、器件结构、生产工艺know-how三个层面的技术变化放缓,随着国内企业在产线建设、产品开发方面速度加快,国内外差距将明显缩窄。功率半导体芯片产品差异化来自晶圆制造能力、封装测试能力及系统理解能力,晶圆制造能力是功率器件企业的核心竞争力,产品附加值贡献率最高。

                海外企业战略性退出部分功率半导体市场,国内企业有机会承接市场份额。全球中小尺寸晶圆制造产能在持续向大陆地区转移,北美、日本近年来持续关闭8寸及以下晶圆厂,退出技术成熟的芯片产品领域。由于盈利能力不断下降,海外功率半导体企业渐渐收缩产品线,砍掉盈利较差的产品。国内企业有着贴近下游应用市场得天独厚的优势,有望不断去承接海外企业退出的市场份额。

              EV/HEV主电机驱动器用IGBT??? style=

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                香港威柏电子的产品线主要由功率半导体构成,包括EV电动汽车电驱用IGBT???,汽车级IPM???,DC-LINK母线电容等,低碳、节能、减排已经成为汽车技术的核心竞争力,威柏电子积极参与中国新能源汽车市场的研发和制造,与中国汽车产业共同进步。

                富士电机简介:
                富士电机早在1923年成立以来,一直致力于技术革新和挑战,为顾客提供高质量的服务。
                富士电机集团是”向客户提供最大满足的企业”的代名词。不断向具有独创性的技术革新挑战,为客户竭诚服务。
                FUJI ELECTRIC富士电机发挥创业以来积累的”自由操控电力”的电力电子技术优势,成为”环境,能源”领域举足轻重的国际企业。
                FUJI ELECTRIC富士电机研发制造高品质电力电子功率半导体IGBT/IPM,为太阳能发电,风力发电,智能电网,工业自动化变频伺服,铁路机车,电动汽车等提供核心功率器件,为高效化和节能做贡献!







                EV/HEV主电机驱动器用IGBT???PackageIc1200V1200V
                V seriesX series
                图片关键词
                M254
                图片关键词
                Solder pins



                300A2MBI300VN120-50 图片关键词2MBI300XNA120-50图片关键词
                450A2MBI450VN120-50 图片关键词2MBI450XNA120-50 图片关键词
                600A2MBI600VN120-50 图片关键词2MBI600XNG120-50
                图片关键词
                M285
                图片关键词
                Solder pins
                000A
                2MBI800XNE120-50
                1000A
                具体咨询:王鹏 15989854023



                内置有驱动电路和?;すδ艿腅V、HEV用IGBT IPM

                EV、HEV用IGBT IPM 1200V级

                (Tvj=25°C)

                PackageDevice typeVCES
                Volt
                IC(Cont)
                Amps.
                VCE(sat)
                Typ. Volts
                VF
                Typ. Volts
                Net mass Grams
                图片关键词
                P401
                2MBP600UN-120V12006002.002.20680g


                EV、HEV用IGBT???750V级

                ※点击产品图像即可查看等效电路图。

                VCE(sat): at Tvj=25°C, Chip

                PackageDevice typeVCES
                Volt
                IC(Cont)
                Amps.
                IC(Peak)
                Amps.
                VCE(sat)
                Typ. Volts
                VF
                Typ. Volts
                Net mass Grams
                图片关键词
                M653
                6MBI800XV-075V-0175057016001.45 (IC=800A)1.50 (IF=800A)560g


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                0755-88267606 00852-2763 5991 021-5489 1460
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